Оперативная память 8 GB 2 шт. GoodRAM IRDM X IR-X2666D464L16S/16GDC

Общие характеристики

Тип памяти DDR4

Форм-фактор DIMM 288-контактный

Тактовая частота 2666 МГц

Пропускная способность 21300 МБ/с

Объем 2 модуля по 8 ГБ

Поддержка ECC нет

Буферизованная (Registered) нет

Низкопрофильная (Low Profile) нет

Тайминги

CAS Latency (CL) 16

RAS to CAS Delay (tRCD) 18

Row Precharge Delay (tRP) 18

Activate to Precharge Delay (tRAS) 35

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка

Напряжение питания 1.2 В

Радиатор есть

Количество ранков 1